四探針測(cè)試儀使用說(shuō)明

四探針測(cè)試儀是根據(jù)四探針測(cè)試原理研究成功的多用途的綜合測(cè)量裝置，它可以測(cè)量棒狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率和半導(dǎo)體擴(kuò)散層的薄層電阻進(jìn)行測(cè)量，可以從10-6--105Ω—cm全量程范圍檢測(cè)硅的片狀、棒狀材料的電阻、薄層電阻，是硅材料質(zhì)量監(jiān)測(cè)的必需儀器。
儀器主要技術(shù)指標(biāo)：
1．   范圍：電阻率10-4—103Ω—cm，可擴(kuò)展至105Ω—cm，
    分辯率為10-6Ω—cm
         方塊電阻10-3—103Ω /電阻10-6—105Ω
2．  可測(cè)半導(dǎo)體尺寸：直徑Φ15—150mm
3．  測(cè)量方式：軸向、斷面均可（手動(dòng)測(cè)試架）
4．  數(shù)字電壓表（1）量程0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V 
  (2)測(cè)量精度 0.2mV檔±（0.3%讀數(shù)+8字）
              2 mV檔以上±（0.3%讀數(shù)+2字）
  (3)輸入阻抗0.2mV、2mV擋105Ω
              20mV檔以上>108Ω
5．  恒流源：（1）電流輸出：直流電流0—100mA連續(xù)可調(diào)，由交流電源供給
   （2）量程：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 五檔
   （3）電流精度：±（0.3%讀數(shù)+2字）
6．四探針測(cè)試探頭  （1）探頭間距：1mm   (2)探針機(jī)械游率：±0.3% 
                   (3) 探針：Φ0.5mm